ULVAC uGmni-200E 设备参数（中文完整版）

一、设备基础信息

• 设备名称：ISM感应磁控管干法刻蚀系统

• 型号：uGmni-200E

• 适用晶圆：8英寸（Φ200mm）Notch JEITA

• 用途：半导体生产与实验

• 结构：L0传输腔 + L1卡匣腔 + L2对准腔 + L3工艺刻蚀腔 + SMIF上料

二、腔体模块参数

L0 传输腔

• 材质：铝合金矩形腔

• 真空：干泵DRP粗抽

• 极限真空：≤10 Pa

• 抽气时间：大气压→10 Pa ≤10分钟

• 漏率：≤1.0×10⁻³ Pa·m³/s

• 传输负载：最大 2000g

L1 卡匣腔

• 卡匣规格：8英寸 25槽 / 13槽

• 适用晶圆厚度：400–600μm（25槽）、600–800μm（13槽）

• 真空：≤10 Pa

• 抽气时间：大气压→10 Pa ≤10分钟

• 漏率：≤1.0×10⁻³ Pa·m³/s

• 配置：SMIF Loader自动上料

L2 对准腔

• 类型：下落式对准（检测Notch）

• 无独立真空泵组

L3 刻蚀腔（核心）

• 极限真空：≤1.0×10⁻³ Pa

• 抽气时间：大气压→2.7×10⁻³ Pa ≤10分钟

• 漏率：≤5.0×10⁻⁵ Pa·m³/s

• 氦检漏：≤5.0×10⁻⁸ Pa·m³/s

• 放电压力：0.07～6.7 Pa

• 排气：涡轮分子泵TMP + 干泵DRP + APC自动压力阀

• 腔体加热：50℃烘烤

• 屏蔽件加热：最高 200℃

三、射频与工艺参数

• 上射频（源功率）：13.56MHz / 1000W

• 下射频（偏压）：12.5MHz / 600W

• 晶圆吸附：静电卡盘ESC

• 温控：冷水机 -20℃～+40℃

• 晶圆控温：氦气背冷（He）

• 温度均匀性：±3℃

工艺性能

• SiO₂刻蚀均匀性（片内）：±5%以内

• SiO₂刻蚀均匀性（片间）：±5%以内

• 光刻胶刻蚀速率：＞100 nm/min

• 颗粒水平：＞0.3μm颗粒＜20个

• 传片测试：连续1000片无故障

四、气路参数（MFC）

• 路数：最多 8路

• 配置：Ar、O₂、N₂、CF4

• 氦气背冷：1000Pa时≤1.0sccm